Extrema Ultra Violeta e Suas Aplicações
May 29, 2018
O EUV refere-se ao Ultra-Violeta Extremo com um comprimento de onda de 13,5 nm. Também chamado de raios-X suaves. A tecnologia de exposição EUV usando luz ultravioleta extrema é esperada como uma nova geração de tecnologia de exposição que pode miniaturizar ainda mais os semicondutores.
A técnica anterior de exposição a semicondutores era aumentar a resolução no momento da exposição encurtando o comprimento de onda da luz usada para satisfazer a necessidade de miniaturização. No entanto, nos últimos 10 anos, o comprimento de onda da exposição permaneceu inalterado em 193 nm. A razão é que a indústria introduziu uma técnica de exposição à imersão em líquido na qual a água é preenchida entre a lente e a bolacha, e uma técnica de dupla exposição, como exposição repetida, em vez de encurtar o comprimento de onda para aumentar a resolução.
Encurtar notavelmente o comprimento de onda da exposição
A exposição EUV encurta o comprimento de onda de exposição para 13,5 nm, aumentando assim a resolução no momento da exposição. (Esta imagem foi produzida pela Nikkei Electronics com base em informações do International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Foto cedida por Asimah.)
No entanto, essas tecnologias também estão se aproximando do limite. A mais recente tecnologia de exposição por imersão tem uma resolução de cerca de 38 nm, e 19 nm é o limite, mesmo com o uso de uma técnica de exposição de padrão secundário. Se você continuar a aumentar a resolução, precisará aumentar o número de exposições para mais de três vezes, o que aumentará os custos. Com a tecnologia de exposição EUV com um comprimento de onda de apenas 13,5 nm, um padrão de cerca de 14 nm pode ser facilmente formado em uma exposição.
No entanto, o desenvolvimento da tecnologia de exposição EUV está se tornando mais lento e lento. A principal razão é que a potência de saída da fonte de luz EUV atualmente é de apenas 10 a 20 W, o que ainda está longe dos 250 W necessários para a produção em massa. Se isso continuar, terá um enorme impacto no ritmo da miniaturização de semicondutores. Portanto, a ASML, que está envolvida no negócio de equipamentos de exposição EUV, anunciou em outubro de 2012 que irá adquirir a Cymer, o maior fabricante mundial de fontes de luz EUV, para acelerar o desenvolvimento. O objetivo da Asmar é atingir os 250W necessários de potência de saída da fonte de luz EUV em 2015.
A fotolitografia ultravioleta extrema (EUV) pode ser considerada uma das tecnologias mais promissoras. Embora ainda existam muitas tecnologias atualmente esperando para serem superadas.
A indústria de semicondutores está adotando duas tecnologias de exposição gráfica e está planejando uma transição gradual para a tecnologia EUV. Portanto, até 2012, a tecnologia avançada usará duas vezes a tecnologia de exposição gráfica no half pitch de 22nm como mainstream. Entre os entrevistados, 60,4% dos usuários acreditam que serão usadas duas técnicas de exposição de padrões na litografia de camada de porta e 51,1% são consideradas para litografia de camada de contato. No entanto, até 2014-2015, muitos entrevistados acreditavam que, na época da era 16nm, 43% dos entrevistados acreditavam que ele poderia ser aplicado na fabricação de portões e 47,7% eram usados em litografia de camada de contato. Até o momento de 2016-2018, muitas pessoas na indústria acreditavam que entraria 11nm, quando 60,6% dos entrevistados acreditavam que ele poderia ser aplicado à litografia da camada de fotolitografia e 63,9% deles foram usados em litografia de camada de contato.
